通訊接口很容易受到各種瞬態(tài)電壓威脅，如靜電放電（
ESD），電纜放電事件（CDE）和雷擊浪涌。這些威脅提供系統(tǒng)設(shè)計(jì)者所面臨的挑戰(zhàn)，其中包含過(guò)電壓
保護(hù)器，以滿足或超過(guò)電路保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)（見表1），而不會(huì)降低傳輸速率。關(guān)鍵參數(shù)，如工作電壓，鉗位電壓和電容，在選擇的過(guò)電壓保護(hù)裝置必須被考慮在內(nèi)。
保護(hù)器件的電容通常是高速數(shù)據(jù)速率應(yīng)用中一個(gè)決定性更高的因素（見表2）。
TVS二極管，像其他半導(dǎo)體產(chǎn)品一樣，有一個(gè)固有電容。電容是依賴于結(jié)面積，摻雜濃度和通過(guò)二極管兩端的電壓。反向偏置電壓是負(fù)相關(guān)的器件的電容，作為反向偏壓增加了器件的電容減小。作為摻雜濃度的增加，二極管的額定電壓降低，并且設(shè)備的電容增大。另一方面，具有較高電壓值的設(shè)備具有更小的結(jié)電容。較大的接合面積涉及高電流處理能力。但作為設(shè)備或接線尺寸的增加，器件的電容的增加伴隨著它。
一個(gè)的電容器的特性是隨時(shí)間變化的信號(hào)的低阻抗。信號(hào)的頻率越高，降低提供給它的阻力。因此，當(dāng)一個(gè)TVS二極管被用在高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用，特性設(shè)備電容趨于衰減信號(hào)。因此，該設(shè)備時(shí)電容很大，由高頻遭受的衰減信號(hào)越大。
踏歌電子的保護(hù)器件繼續(xù)與合作主要的電子設(shè)備制造商開發(fā)下一代被保護(hù)的設(shè)備電路保護(hù)產(chǎn)品組件。踏歌電子器件具有低輪廓，節(jié)省空間提供低工作電壓的設(shè)備，更低的鉗位電壓和超低容量高速通信應(yīng)用。
目前踏歌電子已經(jīng)推出0201封裝超低電容的ULC0521C 的
ESD保護(hù)器件。
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